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TOMI SiNW技术

材料合成： TOMI已成功地低成本、高效率制备出硅纳米线团(SiNW)，＞0.5kg/批。
材料分散： TOMI已成功制备高分散状态的硅纳米线分散液。
材料包覆： TOMI已成功制备高度包覆的硅碳负极，具有优异的循环性能。

TOMI SiNW技术

预锂化：预锂化后，硅纳米线表面变粗糙，直径增粗约50～100%！硅线虽然表面变粗糙、直径变粗，但并未断裂或破碎！硅纳米线充电过程中径向尺寸变化远小于硅纳米颗粒（＞300%），同时会轴向变化分散膨胀应力。
电池制作：如右图所示

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